多晶硅产品中磁性物质的去除
多晶硅产品内磁性物质来源排查及控制措施简述 道客巴巴
2018年5月26日 本文系统阐述了排查多晶硅处理过程中可能引入的磁性金属杂质来源的过程，提出了如何在多晶硅处理过程中有效控制磁性金属杂质的措施。 关键词多晶硅；磁 2016年3月6日 多晶硅的质量等级除国标规定的检验方法及参数之外，下游企业又根据经验总结出独有的杂质抽检方法，例如使用磁铁对入厂多晶硅规进行杂质吸附，发现有微量 多晶硅中磁性物质的分析及金属杂质的控制 道客巴巴2011年5月18日 近年来，众多研究者对多晶硅工艺中去除B、P的方法进行了广泛的研究，大多集中于精馏法，通过精馏装置及工艺的优化，不同程度地降低了B、P的含量。 这 太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 百度文库
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透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎
2023年5月12日 多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法 三种 。 扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。 这种玻璃将用作多晶硅的掺杂剂来源。 掺杂扩散发生在高温下，即 900-1000 摄 2018年2月7日 改良西门子法是当今生产多晶硅的主流工艺，该工艺中，三氯氢硅是生产多晶硅的重要原料，因此，多晶硅产品的纯度主要取决于三氯氢硅的纯度。 目，国内都 高效除三氯氢硅中痕量硼、磷工艺研究进展 TJU为了有效控制多晶硅产品中的碳元素，即控制所有原料中的碳元素，消除甲基杂 质，通过选择与冲击设备相对应的硅芯碳杂质，去除整个生产线的碳元素。浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除 百度文库
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Magnetron sputtering silicon target and post bond
2018年1月2日 IEC 62321-2013 电工电子产品中某些物质的测定 第5 部分：用AAS、 AFS、 ICP-OES 和ICP-MS 测定聚合物和电子设备中的镉、铅和铬以及金属中的镉和 即磁性物质来源为不锈钢或碳化钨工器具； 4控制措施 鉴于以上分析，工序中应采取以下措施控制感磁物质带入到终产品内。 （1）成品整理工序增加除铁装置，对破碎后的硅块、硅粉等进行除铁处理；尤其对倒棒物料更需关注处理；多晶硅产品内磁性物质来源排查及控制措施简述_百度文库2019年3月11日 针对该问题，本文在现有提纯节能工艺的基础上，提出了多晶硅生产的三氯氢硅新型高效精馏节能提纯工艺，采用AspenPlus等软件进行模拟，并结合氯硅烷物系精馏的特点，进行了新型的多孔精馏填料工业化应用研究，同时开发出了适用于大规模工业化生产的 多晶硅生产中氯硅烷高效提纯技术及节能优化研究 豆丁网
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多晶硅研究系列1：三大生产工艺的比较 1.多晶硅的生产工艺
2012年3月27日 1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用...2021年10月11日 磁力可被描述为一种吸引和排斥磁性物体的力。这种力是由穿透不同介质的磁场介导的。有些材料生具有磁性，这是一种默认属性。然而，某些材料可以根据要求进行磁化或去磁。金属中的什么物质产生磁性？磁性是由电荷的运动产生的。它与电流类似。如何理解磁体、磁性金属和非磁性金属 Eclipse Magnetics2022年1月22日 石英石提纯工艺流程简介：石英石提纯是除去石英石中少量或微量杂质,获得精制石英砂或高纯石英砂(如电子级产品)的高难度分离技术。近年来，国内生产生产高纯石英砂主要工艺流程为：原矿硅石经洗矿机洗去泥沙，破碎机粗破后，将合格石英料投入焙烧炉中，在850℃-980℃温度下焙烧6个小时石英石提纯工艺流程 知乎
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高效除三氯氢硅中痕量硼、磷工艺研究进展 TJU
2018年2月7日 而极微量的硼和磷能够对多晶硅材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，进而影响多晶硅产品的质量。 2 氯硅烷中硼、磷杂质分离技术现状 2.1 部分水解法 部分水解法除去三氯氢硅中硼、磷杂质是通过水与三氯氢硅充分接触发生局部水解反应来实现的。2023年4月22日 多晶硅 杂质 回收 氯硅烷 吸收塔 氢气. 多晶硅生产回收氢气中杂质来源及控制措施袁川江，文云南通威高纯晶硅有限公司云南保山云南能投硅材科技发展有限公司，云南曲靖在改良西门子法多晶硅生产过程中，回收H2主要是指三氯氢硅 (TCS)还原、四氯化硅 多晶硅生产回收氢气中杂质来源及控制措施 豆丁网2023年5月18日 随着我国生自主创新研发的技术水平不断进步，未来实现中国作为自己进行生产的晶圆也将会问世。. 制作自己一颗硅晶圆需要的半导体技术设备进行大致有十个，它们分别是通过单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学工程机械使用抛光机、光刻机制造半导体中的硅晶圆需要哪些设备 知乎
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改良西门子法多晶硅质量影响因素分析--中国期刊网
2020年6月30日 本篇文章就主要对现阶段多晶硅生产企业中影响多晶硅质量的因素进行了简单的阐述，并且提出了一部分解决措施，从而在一定程度上促进我国多晶硅生产领域的发展。. 1.多晶硅质量影响因素分析 1.1三氯氢硅对多晶硅质量的影响 在目多晶硅产品的生产过程 2021年8月31日 2. 抗磁质：μr <1，物质的原子中电子磁矩相互抵消，合磁矩为零；但受外加磁场作用时，电子轨道相当于一个个微小的电流，由于电磁感应现象，在外加磁场的作用下会产生相反方向产生很小的合磁矩；这样物质磁性的磁化率会显示很小的负数（μr <1，但接近于1）； ——在外磁场中获得反向磁矩什么是顺磁性和反磁性，并且如何判断一个化合物整体是顺磁2023年5月12日 4、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H_气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应SiHCl_+H_→Si+HCl 多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。透视多晶硅：一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎
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石英砂_百度百科
2022年6月17日 石英砂（quartz sand）是石英石经破碎加工而成的石英颗粒。石英石是一种非金属矿物质，是一种坚硬、耐磨、化学性能稳定的硅酸盐矿物。石英砂的颜色为乳白色、或无色半透明状，莫氏硬度7。石英砂是重要的工业矿物原料，非化学危险品，广泛用于玻璃、铸造、陶瓷及防火材料、冶炼硅铁、冶金2011年10月1日 多晶硅 生产 腐蚀性 氯化氢 爆炸性 法生产. 多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有：1）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。. 气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞 多晶硅生产过程中主要危险 豆丁网2022年6月14日 氧化夹层成为衡量多晶硅质量的一个重要指标，本文通过异常料的产生原因，产生过程以及相关具体控制方法来研究和解决异常料的问题，通过过程控制来逐步分析和解决异常料的产生，并从根本上消除异常料，经过不断摸索将异常料的比例降为零。. 太能能级多晶硅异常料的分析及解决办法
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多晶硅生产中渣浆处理工艺改造
2021年7月1日 浆中的反应，通过搅拌作用形成均匀混合的悬浮溶液，得到的混合溶液一般称为污水，污水由污水输送泵送至 装置下游处理，经过絮凝、沉降、压滤后，将污水中的 悬浮物质分离，得到排放合格的固废。2 多晶硅生产过程中硅浆渣的处理难点 2.1 氯硅烷处理难度2015年1月6日 单晶硅 和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时, 硅原子 以 金刚石 晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。. 如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅 单晶硅与多晶硅的区别? 知乎2021年3月14日 气相生成法又可分为物理气相沉积法，化学气相沉积法和放电聚合法等。. 真空蒸发，溅射镀膜和离子镀等通常称为物理气相沉积法，是基本的薄膜制备技术。. 它们都要求淀积薄膜的空间要有一定的真空度 真空镀膜基础知识（薄膜与制备） 知乎
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多晶硅生产：毒污染高耗能不容忽视-产业-资讯-中国粉体网
2008年5月12日 生产多晶硅的副产品——四氯化硅是高毒物质。. 用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地，草和树都不会在这里生长。. 它具有潜在的极大危险，不仅有毒，还污染环境，回收成本巨大。. 多路诸侯争抢多晶硅“蛋糕”. 多晶硅作为太阳能产业发展所需的2018年1月2日 IEC 62321-2013 电工电子产品中某些物质的测定 第5 部分：用AAS、 AFS、 ICP-OES 和ICP-MS 测定聚合物和电子设备中的镉、铅和铬以及金属中的镉和铅（ Determination of certain substances in electrotechnical products-Part Magnetron sputtering silicon target and post bond 2014年6月4日 在多晶硅企业重大危险源事故危害后 果分析的基础上，可以估算生产企业的个人风险与社会风险。. 重大危险源的个人风险分析是确定危险源附近的目标人群暴露于何种风险 水平上，是否达到可容许风险的上限和下限值。. 社会风险分析的主要目的是评估危险源多晶硅生产企业重大危险源辨识与风险分析 豆丁网
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多晶硅工厂设计规范GB51034-2014_中国有色金属_国家标准
2022年12月3日 硅烷(SiH4)中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)、一氯三氢硅(SiH3Cl)等。 2.0.14 还原尾气 reduction off-gas 还原炉内生成多晶硅的反应过程中 未参与反应的原料和生成的副
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