超细碳化硅杂质含量
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999% 。在众多杂 现阶段日本东芝陶瓷公通过日本商社对中国生产SiC粉进行了实验评价,碳化硅的纯度和粒度尚未达到实用化水平。制备高值化的碳化硅陶瓷,对碳化硅微纳米粉体具有不同技术指标要 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普通RBSC陶 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 百度学术
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碳化硅晶舟（SICBOAT）如何做到99.99%的高纯度？_百度文库
烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度 ≥3.10g/cm3,不含金属硅等金属杂质。 碳化硅陶瓷晶舟，碳化硅 2023年7月29日 结晶碳化硅，又称再结晶碳化硅，简称R-SiC，是指以高纯超细碳化硅为原料，在2400℃高温条件下发生蒸发、凝聚、再结晶、颗粒共生等反应形成的烧结体。 重 重结晶碳化硅（再結晶炭化ケイ素）R-SiC 知乎2020年3月24日 1、各种方法的优、缺点. 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学 2020年6月25日 摘要：. 综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要 高纯SiC微粉制备进展2023年3月23日 害杂质。杂质含量或者SiO2纯度是高纯石英产品质 量分类的主要依据，如英国工业矿物手册定义高纯石 英杂质总含量<50×10−6，挪威地调局提出高纯石英杂 质总含量应<50×10−6、Al<30×10−6、Ti<10×10−6[5]。在三大 类石英及相关产品中，高纯石英属 高纯石英的概念及其原料品级划分 cgs.gov.cn
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重结晶碳化硅（再結晶炭化ケイ素）R-SiC 知乎
2023年7月29日 结晶碳化硅，又称再结晶碳化硅，简称R-SiC，是指以高纯超细碳化硅为原料，在2400℃高温条件下发生蒸发、凝聚、再结晶、颗粒共生等反应形成的烧结体。. 重结晶碳化硅硬度仅次于金刚石，具有高温强度高、抗氧化性能好、耐腐蚀性能强、抗热震性能好、 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究. 在半导体相关产业,使用各种特性的SiC产品,除SiC基板外,其他产品对陶瓷用原料的SiC粒子或粉末要求有各自不同的特性。. 开发自烧结SiC原料微纳米粉体应用于半导体制造业行业意义重大。. 现阶段日本半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究2016年2月18日 大家运用去掉碳化硅杂质的办法中大家运用的最遍及的即是酸碱法：. ①首要来讲碳化硅的酸洗。. 酸洗通常是在加热的条件下，用硫酸对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是为了去掉碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。. 这么能够很洁净方便的去掉碳化 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 百度知道
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超细立方碳化硅（beta SiC）的性能与一些常见典型应用 知乎
2023年4月3日 作为吸波材料，立方SiC超细粉末和碳化硅晶须也有广阔的应用景。 立方碳化硅颗粒、碳化硅晶须和纳米材料拥有其它的材料无法比拟的优异抗腐蚀性、高热导率和高强度等性能，在燃烧器电池、燃烧系统和阀门、高温电力辅助构件、封盖、骨架和保温系统等方面有极其广泛的应用。2023年10月27日 生长 SiC 单晶用的 SiC 粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于 0． 001% 。. 在众多 SiC 粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的 SiC 粉体; 液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的 SiC 粉体; 固相法中的 碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解2013年12月25日 61《现代仪器》2011年第6期第17卷总97期分析测试本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移，用碰撞反应技术消除多原子离子ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 现代仪器 豆丁网
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碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？-要闻-资讯-中国
2021年2月25日 碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？. [导读] 通过表面改性，可以改善SiC粉体的分散性、流动性、消除团聚、提高碳化硅超细粉体成型性能以及制品最终性能。. 中国粉体网讯 碳化硅是一种人工合成的强共 2014年5月21日 采用本方法，细粒碳化硅产品中游离碳含量指标的控制可以得到充分保证。一种超细碳化硅微粉的制备方法该技术公开了一种超细碳化硅微粉的制备方法：通过收集器收集超细碳化硅微粉；通过超纯水冲洗除杂，然后脱水干燥，含水率低于0.07％，制得成品。高纯碳化硅材料、碳化硅粉体制造 豆丁网2021年3月13日 无压烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度≥3.10g/cm3, 不含金属硅等金属杂质。 耐高温--1800℃温度下正常使用； 高热导性--和石墨材料的导热性相当； 硬度高--硬度仅次于金刚石无压烧结碳化硅，西安中威（ZHWE）_反应
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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年11月25日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化学反应热，使得未发生反应的 2022年6月22日 超细硅微粉：是以高纯然石英为原料，经人工精选、清洗提纯，再经超细研磨和分级技术，制造出SiO2粉体系列产品。 采用了先进的分级技术达到了超细的颗粒直径和均匀的分布特点，细度可达8000目，使其更具有补强性和加工流动性。硅微粉的性能、用途及深加工 知乎2021年6月14日 一般来说，90%碳化硅细粉SiC粉料合成的方法主要有三种:Acheson法、有机合成法和自蔓延法。. Acheson法是在高温、强电场作用下，Si02被C还原，首先生成β -SiC，高温下转变成a -SiC。. 这种方法合成的SiC粉末需要粉碎、酸洗等工序，杂质含量较高，其纯度无法达到生长90%碳化硅细粉 知乎
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半导体晶圆刻蚀用：碳化硅LED陶瓷承载盘 知乎
2023年6月8日 LED刻蚀用碳化硅托盘 (SiC托盘)φ 600mm是深度硅刻蚀 (ICP刻蚀机)的专用配件。. 晶圆载具又称晶圆载具、硅晶圆载具，英文称为pocket wafer。. 广泛用于半导体的CVD和真空溅射。. 碳化硅陶瓷制品是由高纯超细碳化硅粉末经2450 ℃高温烧结而成。. 碳化硅含量大于99.1%2016年12月15日 A. 摘要: 采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的反应温度对于SiC粉体粒度的影响，讨论了SiC颗粒形成的反应机理. 表征结果显示，制备的粉体物相均为β硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉-《武汉工程大学学报》2021年4月13日 常压烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度≥3.10g/cm3, 不含金属硅等金属杂质。 耐高温--1800℃温度下正常使用； 高热导性--和石墨材料的导热性相当； 硬度高--硬度仅次于金刚石高精密陶瓷结构件—西安中威新材料有限公司_烧结
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高纯石英砂行业研究：详析壁垒、供需和格局_腾讯新闻
2022年5月13日 高纯石英砂纯度高，杂质含量低于20ppm 高纯石英砂纯度高，杂质含量低于20ppm。 独特的白岗岩型高纯石英原料矿，曾提供全球90%的高纯石英砂，尤尼明公司也垄断了IOTA超纯 石英的生产和销售， 2020年3月24日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。. 当国外主要厂商包括Cree、Aymont等高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述2021年10月13日 石墨中所含的杂质，主要是 钾、钠、镁、钙、铝等的硅酸盐矿物，石墨的提纯工艺，就是采取有效的手段除去这部分杂质。. 目，提纯石墨的方法主要有浮选法、碱酸法、氢氟酸法、氯化焙烧法、高温法等。. 01. 浮选法. 由于石墨表面不易被水浸润，因此具 石墨提纯的方法及优缺点石墨提纯的方法及优缺点_杂质
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磨料质量检验与控制之七：金刚石微粉标准技术指标 知乎
2020年4月20日 当中值粒径小于5μ（尤其是时中值粒径小于3μ）时，微粉中的杂质主要是外部杂质，外部杂质受工艺影响很大，因此中值粒径小于3μ以细的微粉，杂质含量在0.3到15%之间。——公众号：超硬材料与磨料磨具，交流金刚石选型，提高中国砂轮国产化水平！2021年9月8日 什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途. 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。. 化学式为SiC。. 无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。. 具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。. 金刚砂的硬度挨近金刚石，热什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎2016年6月9日 超细SiC粉体在制备过程中可能存在氧化生成的SiO2，为确定制备的超细粉体是否为纯的SiC，采用红外光谱测试其中是否含有其他物质. 图3为不同温度下生成碳化硅粉体的红外图谱，从图3中可以看出，3个样品的红外光谱均在810 cm-1处附近存在特征峰，此处为Si-C的振动吸收峰.文章
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